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DMHC4035LSDQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMHC4035LSDQ-13
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.5W (Ta)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

Auf Lager 50 pcs

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