BSC019N02KSGAUMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSC019N02KSGAUMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 350µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 85nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 13000pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 68 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.93 | $0.91 | $0.89 |
Minimale: 1