TK5Q65W,S1Q
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK5Q65W,S1Q |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.22Ohm @ 2.6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 60W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 380pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 91 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.92 | $0.90 | $0.88 |
Minimale: 1