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BSB012N03LX3 G
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSB012N03LX3 G |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-WDSON |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 169nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 16900pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 67 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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