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SIA850DJ-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SIA850DJ-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | LITTLE FOOT® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 90pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 950mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 65 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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