Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BFS481H6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFS481H6327XTSA1
Beschreibung: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 20dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 175mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 NPN (Dual)
Basis-Teilenummer BFS481
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 8GHz
Lieferanten-Gerätepaket P-SOT363-6
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 5mA, 8V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 7236 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PDTC124EU,115
Nexperia USA Inc.
$0
PDTC124EU,135
Nexperia USA Inc.
$0.02
PDTA114EU,115
Nexperia USA Inc.
$0
PDTC114YU,115
Nexperia USA Inc.
$0