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MT3S111(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: MT3S111(TE85L,F)
Beschreibung: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 12dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 700mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 11.5GHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.2dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 30mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 6V

Auf Lager 6629 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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