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MIEB101H1200EH

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: MIEB101H1200EH
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 630W
Konfiguration Full Bridge Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall E3
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket E3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 183A
Eingangskapazität (Cies) 7.43nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 300µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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