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IFS75B12N3E4B31BOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: IFS75B12N3E4B31BOSA1
Beschreibung: MOD IGBT LOW PWR ECONO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 385W
Konfiguration Full Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150A
Eingangskapazität (Cies) 4.3nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 84 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$120.33 $117.92 $115.56
Minimale: 1

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