IFS75B12N3E4B31BOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | IFS75B12N3E4B31BOSA1 |
Beschreibung: | MOD IGBT LOW PWR ECONO |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 385W |
Konfiguration | Full Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | Yes |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 150A |
Eingangskapazität (Cies) | 4.3nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 84 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$120.33 | $117.92 | $115.56 |
Minimale: 1