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IXTZ550N055T2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTZ550N055T2
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 550A DE475
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FRFET®, SupreMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DE475
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 600W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DE475
Gate Charge (Qg) (Max.) 595nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 40000pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 550A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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