IXFN21N100Q
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFN21N100Q |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 500mOhm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 520W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-227B |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 170nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5900pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$25.16 | $24.66 | $24.16 |
Minimale: 1