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IXFN21N100Q

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFN21N100Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 500mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 520W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max.) 170nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5900pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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