Image is for reference only , details as Specifications

IXTY02N120P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTY02N120P
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 75Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 33W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 104pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI7342DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$1.32
IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
$1.32
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.32
IPP90R800C3XKSA2
Infineon Technologies
$1.32
IPA90R800C3XKSA2
Infineon Technologies
$1.32