Image is for reference only , details as Specifications

IPB90N06S4L04ATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB90N06S4L04ATMA2
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 170nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 13000pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.32
IPP90R800C3XKSA2
Infineon Technologies
$1.32
IPA90R800C3XKSA2
Infineon Technologies
$1.32
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
$1.32
SPI07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$1.32