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IXTU01N100D

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTU01N100D
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V
Verlustleistung (Max.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 120pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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