FCB260N65S3
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FCB260N65S3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SuperFET® III |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 260mOhm @ 6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 90W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | D²PAK (TO-263) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 24nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1010pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 98 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.20 | $1.18 | $1.15 |
Minimale: 1