IXTT10P60
Hersteller: | IXYS |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTT10P60 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 300W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 160nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4700pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 23 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$9.40 | $9.21 | $9.03 |
Minimale: 1