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IXTH1N170DHV

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTH1N170DHV
Beschreibung: MOSFET N-CH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
Verlustleistung (Max.) 290W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247HV
Gate Charge (Qg) (Max.) 47nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3090pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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