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IXTP4N65X2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTP4N65X2
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 850mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 80W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 455pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.55 $1.52 $1.49
Minimale: 1

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