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IPB180P04P403ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB180P04P403ATMA1
Beschreibung: MOSFET P-CH TO263-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-7-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 250nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 17640pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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