IXTA1N170DHV
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTA1N170DHV |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 0V |
Verlustleistung (Max.) | 290W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 47nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3090pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.45 | $11.22 | $11.00 |
Minimale: 1