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IXFR58N20

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFR58N20
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ISOPLUS247™
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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