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IXKC19N60C5

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXKC19N60C5
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket ISOPLUS220™
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2500pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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