IXKC19N60C5
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXKC19N60C5 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | ISOPLUS220™ |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 125mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | ISOPLUS220™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 70nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2500pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.88 | $5.76 | $5.65 |
Minimale: 1