IPP65R074C6XKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPP65R074C6XKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Last Time Buy |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 74mOhm @ 13.9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 480.8W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 17nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3020pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 57.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 85 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$6.17 | $6.05 | $5.93 |
Minimale: 1