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IXFX210N17T

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFX210N17T
Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie GigaMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PLUS247™-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 285nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 170V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 18800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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