Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRF6718L2TR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6718L2TR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric L6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 0.7mOhm @ 61A, 10V
Verlustleistung (Max.) 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET L6
Gate Charge (Qg) (Max.) 96nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6500pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 61A (Ta), 270A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRF8721GPBF
Infineon Technologies
$0
IRF8714GPBF
Infineon Technologies
$0
IRF8707GPBF
Infineon Technologies
$0
VN2410LZL1G
ON Semiconductor
$0
VN2222LLRLRAG
ON Semiconductor
$0