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IXFV15N100P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFV15N100P
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarP2™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3, Short Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 760mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 543W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PLUS220
Gate Charge (Qg) (Max.) 97nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5140pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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