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TPCF8102(TE85L,F,M
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPCF8102(TE85L,F,M |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSIII |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 19nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1550pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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