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IXFT80N65X2HV
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXFT80N65X2HV |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Verlustleistung (Max.) | 890W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268HV |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 140nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 8300pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 89 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.04 | $9.84 | $9.64 |
Minimale: 1
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