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IXTT10N100D2
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXTT10N100D2 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 695W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 200nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5320pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 96 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.51 | $10.30 | $10.09 |
Minimale: 1
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