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IXFT16N120P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFT16N120P
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarP2™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 950mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 660W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268
Gate Charge (Qg) (Max.) 120nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6900pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$13.32 $13.05 $12.79
Minimale: 1

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