Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IXFT18N100Q3
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXFT18N100Q3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 660mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 830W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 90nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4890pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 95 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.25 | $12.99 | $12.73 |
Minimale: 1
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