IXFN50N120SIC
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFN50N120SIC |
Beschreibung: | MOSFET N-CH |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | +20V, -5V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-227B |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 100nC @ 20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1900pF @ 1000V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$52.99 | $51.93 | $50.89 |
Minimale: 1