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IXFN50N120SIC

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFN50N120SIC
Beschreibung: MOSFET N-CH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +20V, -5V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1900pF @ 1000V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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