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IXFN50N120SK
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXFN50N120SK |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | +20V, -5V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 52mOhm @ 40A, 20V |
| Verlustleistung (Max.) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-227B |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 115nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1895pF @ 1000V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 94 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $51.89 | $50.85 | $49.84 |
Minimale: 1
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