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70T633S10BFG

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70T633S10BFG
Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit 10ns
Speichergröße 9Mb (512K x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 208-LFBGA
Basis-Teilenummer IDT70T633
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 208-CABGA (15x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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