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70P269L65BYGI

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70P269L65BYGI
Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit 65ns
Speichergröße 256Kb (16K x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 100-TFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 100-CABGA (6x6)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 65ns

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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