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GPA015A120MN-ND

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: GPA015A120MN-ND
Beschreibung: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT and Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 210nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 212W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.61mJ (on), 530µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 25ns/166ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 320ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 45A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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