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MURTA20060R
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | MURTA20060R |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Lieferanten-Gerätepaket | Three Tower |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 25µA @ 600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.7V @ 100A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 100A |
Auf Lager 91 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $104.63 | $102.54 | $100.49 |
Minimale: 1
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