MURTA20020R
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Datenblatt: | MURTA20020R |
Beschreibung: | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Three Tower |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Lieferanten-Gerätepaket | Three Tower |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 25µA @ 200V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.3V @ 100A |
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 100A |
Auf Lager 76 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$104.63 | $102.54 | $100.49 |
Minimale: 1