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MBR30035CT

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: MBR30035CT
Beschreibung: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Diodentyp Schottky
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Lieferanten-Gerätepaket Twin Tower
Strom - Reverse Leakage - Vr 8mA @ 20V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 650mV @ 150A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 200A (DC)

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$69.16 $67.78 $66.42
Minimale: 1

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