Image is for reference only , details as Specifications

MBR120200CTR

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: MBR120200CTR
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Diodentyp Schottky
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Lieferanten-Gerätepaket Twin Tower
Strom - Reverse Leakage - Vr 1mA @ 200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 920mV @ 60A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 60A

Auf Lager 84 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$65.66 $64.35 $63.06
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MBR120200CT
GeneSiC Semiconductor
$65.66
MBR120150CTR
GeneSiC Semiconductor
$65.66
MBR120150CT
GeneSiC Semiconductor
$65.66
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor
$65.66
MBR20060CT
GeneSiC Semiconductor
$65.66