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IPW65R048CFDAFKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R048CFDAFKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-247-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.9mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 48mOhm @ 29.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 500W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 270nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7440pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 63.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 229 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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