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2N7635-GA
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | 2N7635-GA |
| Beschreibung: | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Verpackung | Bulk |
| Vgs (Max.) | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-257-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Verlustleistung (Max.) | 47W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-257 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 324pF @ 35V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Tc) (165°C) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 94 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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