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GA16JT17-247

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GA16JT17-247
Beschreibung: TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ -
Verpackung Tube
Vgs (Max.) -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 110mOhm @ 16A
Verlustleistung (Max.) 282W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 69 pcs

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