EPC2202
Hersteller: | EPC |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | EPC2202 |
Beschreibung: | GANFET N-CH 80V 18A DIE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | EPC |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | +5.75V, -4V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17mOhm @ 11A, 5V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | Die Outline (6-Solder Bar) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 4nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 415pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Auf Lager 46256 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.86 | $2.80 | $2.75 |
Minimale: 1