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EPC2202

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: EPC2202
Beschreibung: GANFET N-CH 80V 18A DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, eGaN®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) +5.75V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17mOhm @ 11A, 5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Die Outline (6-Solder Bar)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 415pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 46256 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.86 $2.80 $2.75
Minimale: 1

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