Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STP100N8F6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STP100N8F6
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie STripFET™ F6
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer STP100
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 176W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5955pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 5858 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.31 $1.28 $1.26
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
$1.35
FDB52N20TM
ON Semiconductor
$1.4
IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
$0
FQP27P06
ON Semiconductor
$1.48