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BSC072N03LDGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSC072N03LDGATMA1
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 57W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Basis-Teilenummer BSC072N03
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.5A

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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