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ZXMN2A04DN8TA
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | ZXMN2A04DN8TA |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.8W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 22.1nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1880pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.9A |
Auf Lager 276 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.88 | $1.84 | $1.81 |
Minimale: 1
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