SIZF920DT-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SIZF920DT-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1