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ZXMHC10A07N8TC

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: ZXMHC10A07N8TC
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 870mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer ZXMHC10A07
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 138pF @ 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 800mA, 680mA

Auf Lager 1632 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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