FDD3510H
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | FDD3510H |
Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1.3W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252-4L |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 18nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 800pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.3A, 2.8A |
Auf Lager 1368 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1