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FDD3510H

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDD3510H
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ N and P-Channel, Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.3W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket TO-252-4L
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 800pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.3A, 2.8A

Auf Lager 1368 pcs

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