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FDD3510H
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FDD3510H |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.3W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252-4L |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 18nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 800pF @ 40V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.3A, 2.8A |
Auf Lager 1368 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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